特種陶瓷材料反映燒結方法

　　特種陶瓷材料反應燒結(ReactionSintering，RS或ReactionBanding，RB1目前反應燒結僅限于少量幾個特種陶瓷材料體系：反應燒結氮化硅(si2N2)，氧氮化硅(si2ON2)和碳化硅(sic)等。特種陶瓷材料反應燒結Sil2N2是將多孑L硅壓坯在1400℃左右和燒結氣氛N2發生反應生成Si3N3由于是放熱反應，所以正確控制反應速度是十分重要的。如果反應速度過高，將會使特種陶瓷材料坯塊局部溫度超過硅的熔點。這樣一方面阻礙反應的進一步進行，另一方面使特種陶瓷材料反應的產物形成粗大的晶粒。隨著特種陶瓷材料反應的進行，氮氣擴散愈來愈困難，所以反應很難徹底，特種陶瓷材料產品相對密度較低，一般只能達到90％左右。

　　特種陶瓷材料反應燒結si2ON2是將Si、SiO2和CaF2(或CaO、MgO等玻璃形成劑)混合，特種陶瓷材料壓成壓坯，在高溫下si與燒結氣氛發生反應，caF2、CaO、MgO等與SiO2形成玻璃相。特種陶瓷材料氮溶解人熔融的玻璃中，Si2ON2晶體從被氮飽和的玻璃相中析出。特種陶瓷材料反應燒結氧氮化硅的密度可大于90％。

　　反應燒結SiC是將SiC—C多孔坯塊用液態硅浸漬反應而制成的。特種陶瓷材料反應燒結的特點是坯塊在燒結過程中尺寸基本不變，可制得尺寸精確的特種陶瓷材料制件，同時工藝簡單、經濟，適于特種陶瓷材料大批量生產。缺點是特種陶瓷材料力學性能不高，這是由于密度較低所造成的。
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